QLC閃存標杆之作:Intel 670p SSD視頻上手體驗
2021-06-01 15:45:16  出處:快科技 作者:鵬飛 編輯:鵬飛     評論(0)點擊可以複製本篇文章的標題和鏈接

去年底,Intel發佈了新一代主流消費級SSD 670p,和前兩代660p、665p一樣都是QLC閃存顆粒,不過堆疊層數從64層、96層一路來到了144層,讓670p成為全球第一個144層QLC閃存,對行業來説有一定的里程碑意義。

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首先來看外觀,670p採用標準M.2 接口,長度為80mm,PCIe 3.0 x4協議,可以兼容標準桌面和筆記本平台,且容量有三種選擇;

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慧榮的主控制器,自帶第三代固件;

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單面設計更加輕薄,更適合輕薄筆記本這樣的移動平台;

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由於144層QLC閃存的存儲密度大大增加,因此在1TB身上我們能看到其擁有兩顆芯片;中間的緩存芯片來自華邦;

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在性能方面,官方宣稱順序讀寫最高可達3.5GB/s、2.7GB/s,對比上代660p分別提升了94%、50%,QD1和QD8的4K隨機讀寫比上代也分別提升了41%、55%。

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另外670p還大大強化了固定和動態兩種緩存分配機制,比上代增大了11%,1TB容量的固定緩存為12GB,動態緩存最大可以有140GB,可以很好的提升日常性能。

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670p 1TB的最大寫入量為370TBW,相當於每天0.2次全盤寫入,平均每天可以寫入200GB數據,這已經大大超出了絕大多數用户的日常需求,五年質保讓你在可靠性和安全性上也不必有任何憂慮。

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功耗方面,670p的讀寫功耗和待機功耗相較於上代均有降低,而L1.2休眠狀態更是僅僅3毫瓦;只用上代一半的功耗,就達成了兩倍的性能,即便是使用移動端平台進行辦公創作等場景,670p也能應對自如;

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那麼接下來通過一些常見基準測試軟件,來看看它的實際性能表現到底如何。

在CrystalDiskMark測試中,無論是1GB還是64GB數據包,670p的順序讀取速度都達到了標稱的3.5GB/s,順序寫入接近2.8GB/s,甚至略超官方指標;

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AS SSD的測試壓力更重,但是順序讀取依然穩穩超過了3GB/s,順序寫入也在2.5GB/s左右,非常理想,幾乎達到了PCIe 3.0 x4帶寬的極限。即便是64線程高壓的4K隨機讀寫,也分別可以跑到最高850MB/s、1.3GB/s,頗為不俗。

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ATTO測試中,即便是面對0.5KB的零碎小文件,讀取速度也差一點超過100MB/s,寫入速度則接近90MB/s,非常驚豔,要知道以往的SSD基本上都在20-30MB/s之間。16KB的時候,讀取速度已經逼近2GB/s,寫入速度則超過1GB/s。256KB開始就完全穩定下來,讀取在3GB/s左右,寫入在2.5GB/s左右,這和AS SSD測試是基本一致的。

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HD Tune Pro測試來考察緩存外速度,測試文件體積選擇為1.5GB。可以看到,緩存內傳輸速度基本穩定在2GB/s左右,127GB左右之後速度明顯變化,這也正是670p 1TB版的緩存容量。

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緩外速度大約在250MB/s,只有緩內速度的八分之一,差距還是比較明顯的,但在日常應用中,我們幾乎不可能碰到一次用完接近130GB緩存的情況,所以緩外速度影響並不大。

温度測試,我們把670p放在微星主板第一個M.2插槽上,用的是主板自帶的M.2散熱片。

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待機温度29度左右,在進行CrystalDiskMark的64GB性能測試時,最高温度僅有46度,因此這款SSD的温度基本上用不着擔心,即便在空間有限的輕薄本里也不是問題。

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Intel SSD 600p系列一直在OEM筆記本、台式機中應用廣泛,不過因為很多人對QLC閃存有一些誤解甚至歧視,該系列也一直存在一些爭議。

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而670p系列可以説是扭轉了一些局面,首發全新的144層堆疊閃存,存儲密度增加50%,搭配新一代主控和固件,支持更大容量的動態緩存,並進一步優化功耗,無論性能還是能效都有了一個十足的進步;

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實際測試也驗證了它的性能指標所言非虛,無論順序讀寫還是隨機讀寫,都達到了同檔產品的較高水準,用在主流筆記本、台式機中可謂絕配。

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另外1TB的性能表現非常接近PCIe 3.0 SSD的頂級水準,順序讀取速度高達3500MB/s,達到了PCIe 3.0 x4所能提供帶寬的極限,同時59MB/s的4K隨機讀取速度可同樣可圈可點。

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事實上,SSD的壽命除了和閃存顆粒有關之外,主控、容量也有很大影響,Intel 144層QLC閃存的最大優勢恰恰就是高密度、大容量,因此足以保證高可靠性。

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目前Intel 670p SSD已經陸續上市,京東商城報價479元,多家合作品牌的整機也都已預裝,感興趣的小夥伴們及時入手。

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#Intel#固態硬盤#SSD

責任編輯:鵬飛

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